迈向AI未来：三星启动9代QLC闪存大规模生产

第9代V-NAND技术：三星引领行业进入新纪元

        2024年9月12日，韩国首尔——全球领先的先进内存技术供应商三星电子有限公司宣布，已开始量产其单比特（Tb）四层单元（QLC）第9代垂直NAND（V-NAND）。这是继今年4月首次量产三重层单元（TLC）第9代V-NAND之后的又一重大进展，标志着三星在高容量、高性能NAND闪存市场上的持续领导地位。

第9代QLC闪存技术：为AI应用打造最佳解决方案

        三星此次推出的9代QLC闪存技术结合了多项突破性创新，包括业界领先的通道孔蚀刻技术和双堆叠结构。这些新技术不仅提高了存储密度，还增强了数据处理能力，非常适合支持各种AI应用的需求。“我们很高兴能在短短四个月内从TLC版本过渡到成功量产QLC第9代V-NAND，这让我们能够提供一系列先进的SSD解决方案来满足AI时代的需求。”三星电子闪存产品与技术执行副总裁兼负责人SungHoi Hur表示。

第9代V-NAND技术：技术创新推动产品优化

        三星的第9代V-NAND技术采用了无与伦比的通道孔蚀刻技术，实现了业界最高的层数，并且通过双堆叠结构进一步提升了位密度。此外，设计模具技术确保了字线间距的一致性，从而优化了每一层内及层间的单元特性。采用这项技术后，数据保持性能相比前几代提高了约20%，大大增强了产品的可靠性。

第9代QLC闪存技术：提升性能与效率

        利用预测编程技术，三星能够更精确地控制单元状态的变化，减少了不必要的操作，使得QLC第第9代V-NAND的写入性能翻了一番，同时数据输入/输出速度也提高了60%。此外，低功耗设计技术的应用使得数据读取和写入的能耗分别降低了约30%和50%，显著提升了整体能效。

第9代V-NAND技术：广泛的应用前景

        三星计划将这款先进的9代QLC V-NAND应用于品牌消费类产品，并逐步扩展至移动通用闪存（UFS）、个人电脑以及服务器SSD等领域，服务于云服务提供商等客户。随着企业级SSD市场对AI应用需求的增长，三星将继续通过其第9代V-NAND技术巩固在该领域的领先地位。

对于国际芯片贸易公司而言，紧跟这样的技术进步是至关重要的，因为它们代表着未来市场的趋势和技术发展方向。三星的这一举措预示着一个更加高效、可靠的数据存储新时代的到来。