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MRF8P9300HSR6是一款高性能射频功率MOSFET，适用于1 GHz至6 GHz的频率范围，最大输出功率为20 W，适用于无线通信、卫星通信和军事雷达系统等应用。
MRF8S9220HS是一款高性能射频功率MOSFET，适用于1 GHz至6 GHz的频率范围，最大输出功率为20 W，适用于无线通信、卫星通信和军事雷达系统等应用。
UJ3C120040K3S是一款N沟道增强型SiC MOSFET(MOS管)，适用于高压应用，特点包括1200V电压、35mΩ导通电阻，以及在正栅源电压下的快速开关能力。
JCS740F是一款400V/10A N沟道MOSFET(MOS管)，低Rds(on)，适用于电源转换、电机驱动与逆变器，提升系统效率与可靠性。
探索2SC5200 NPN型功率晶体管的卓越特性与应用案例，了解其在汽车电子、工业控制及音频放大领域的出色表现。优化设计，满足各种功率需求。
20N60A4是一款高性能N沟道IGBT晶体管，额定600V/20A，适用于逆变器、电机控制和电源转换，提供卓越的功率效率和可靠性。
2SC3055是高性能NPN功率晶体管，支持15A电流和100V电压，适用于音频放大、电机驱动和电源模块，以低饱和电压确保高功率稳定运行。
NTD2955T4G是ON Semiconductor生产的金氧半场效应晶体管（MOSFET），电压-60V，电流-12A，功率3.75W，工作温度范围-55°C至175°C，封装为TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63，包装在管中。
