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MRF8P9300HSR6是一款高性能射频功率MOSFET,适用于1 GHz至6 GHz的频率范围,最大输出功率为20 W,适用于无线通信、卫星通信和军事雷达系统等应用。
MRF8S9220HS是一款高性能射频功率MOSFET,适用于1 GHz至6 GHz的频率范围,最大输出功率为20 W,适用于无线通信、卫星通信和军事雷达系统等应用。
JCS740F是一款400V/10A N沟道MOSFET(MOS管),低Rds(on),适用于电源转换、电机驱动与逆变器,提升系统效率与可靠性。
NTD2955T4G是ON Semiconductor生产的金氧半场效应晶体管(MOSFET),电压-60V,电流-12A,功率3.75W,工作温度范围-55°C至175°C,封装为TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63,包装在管中。
FS16SM是一款N沟道MOSFET晶体管,工作电压高达500V,最大漏极电流为16A,采用TO-3P封装。可用于电源开关、电机驱动器和照明系统中的开关管,以控制电源、电机和LED灯的开关状态和亮度。
LD1086DT50TR-MOS管是一种低压差线性稳压器,它具有低压差、高带宽、高输出阻抗、高电源抑制比和内置保护功能等优点。它适用于各种低电压应用,如便携式设备、数字电路、汽车电子等。
FDB12N50F是一款onsemi公司生产的功率MOSFET,它具有低栅极电荷、低反向转移电荷、低输入电容、低输出电容、高耐压能力和高温稳定性等特点,适用于开关模式电源、无刷直流电机驱动和照明控制等领域。
BLF645是一款高效宽带LDMOS晶体管,适用于广播、工业和通信领域。