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三星电子宣布量产第9代V-NAND QLC闪存，结合通道孔蚀刻和双堆叠结构等创新技术，提供更高存储密度、更快处理速度及更低能耗，以满足不断增长的AI应用需求。
2024-12-06
2024年5月9日，SK海力士发布ZUFS 4.0，升级移动端NAND闪存，专为端侧AI手机优化，实现AI性能与存储寿命双重跃升。ZUFS 4.0通过智能数据分区，显著减少运行延迟，提升40%使用寿命。
2024-10-25
意法半导体的ST85MM PLC调制解调器，支持Meters and More及PRIME 1.4标准，提升智能电表灵活性与安全性，推动能源行业数字化。现已上市。
意法半导体的ST87M01模块集成Vodafone eSIM和NB-IoT/wM-BUS，专为智能表计和资产管理优化，提供安全、灵活的全球连接方案。
2024-10-22
三星电子发布业界首款24Gb GDDR7 DRAM芯片，速度超过40Gbps，适用于数据中心和AI工作站。采用第五代10纳米工艺和PAM3技术，提升性能与能效。该芯片将于今年开始验证，明年初量产。
2024-10-18
SK海力士发布GDDR7 DRAM芯片，速度高达32Gbps，能效提升50%，热阻减少74%，适用于AI、HPC及自动驾驶领域，推动高端存储市场革新。
2024-10-11
SK海力士推出了全球首款采用第六代10纳米级工艺的16Gb DDR5 DRAM芯片，提升了30%以上的生产率、11%的运行速度和9%以上的能效，为高性能数据中心提供更高效、更具成本效益的解决方案。
2024-10-10
SK海力士宣布12L HBM3E DRAM芯片正式量产，这款创新产品在速度、容量和稳定性方面达到全球最高水平，进一步巩固了SK海力士在AI存储器市场的领导地位。
2024-10-09
