三星电子量产第9代V-NAND芯片，存储密度跃升50%，引领高性能SSD革新

三星电子宣布第9代V-NAND芯片量产

        全球存储技术的先驱——三星电子于4月23日正式宣布，其创新的1太比特(Tb)三级单元(TLC)第九代垂直NAND(V-NAND)已投入大规模生产，进一步稳固了在NAND闪存市场的领军地位。这一里程碑式的成就不仅彰显了三星在先进存储解决方案上的持续突破，更为未来科技应用的飞速发展奠定了坚实基础。

存储技术新飞跃，强化市场领导力

        三星电子内存业务部闪存产品和技术负责人SungHoi Hur表示：“我们很自豪地推出全球首例第九代V-NAND，它预示着存储技术应用的新飞跃。面对NAND闪存解决方案需求的不断演变，三星不断挑战单元架构和操作方案的极限，以满足市场对下一代人工智能存储解决方案的期待。”

位密度增50%，尺寸与模具创新

        此番发布的第九代V-NAND闪存芯片实现了行业领先的位密度提升，较上一代产品增长约50%，这得益于其采用了全球最小的单元尺寸及最薄的模具设计。三星在技术创新上的不懈努力，如有效避免单元干扰、延长单元寿命的技术应用，以及通过去除虚拟通道孔显著缩小存储单元平面面积的设计，共同确保了产品的卓越质量和可靠性。

双堆栈结构与高效蚀刻工艺

        尤为值得一提的是，三星利用其突破性的“通道孔蚀刻”技术，在双堆栈结构中实现了前所未有的单元层数，极大提升了生产效率。这一工艺不仅展现了三星在半导体制造领域的深厚积累，也为后续更高层数的单元堆叠开辟了道路，凸显了复杂蚀刻技术的必要性。

Toggle 5.1提速33%，PCIe 5.0在望

        此外，第九代V-NAND搭载了最新一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，数据输入/输出速度提升33%，达每秒3.2吉比特(Gbps)，并计划加大对于PCIe 5.0的支持，进一步巩固其在高性能SSD市场的主导权。同时，得益于低功耗设计的优化，新产品相比前代在能耗上降低了10%，积极响应了市场对节能减排的迫切需求，为绿色计算提供了理想选择。

TLC型号已投产，QLC紧随其后

        三星目前已开启1Tb TLC型第九代V-NAND闪存芯片的量产，预计于今年下半年继续推出四级单元(QLC)版本，全面推动存储领域进入一个全新的高效能、高密度时代。

        作为致力于追踪并分享全球芯片产业最新动态的第三方芯片国际贸易商，我们对三星电子此次的创新突破表示高度关注与肯定，相信这将为整个存储行业带来深远影响，开启数据存储技术的新篇章。