NTD2955T4G N沟道耗尽型MOS管

NTD2955T4G是ON Semiconductor生产的金氧半场效应晶体管(MOSFET),电压-60V,电流-12A,功率3.75W,工作温度范围-55°C至175°C,封装为TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63,包装在管中。

  • 型号: NTD2955T4G
  • 类型: P-Channel MOSFET
  • 电压: -60V
  • 电流: -12A
  • 功率: 3.75W
  • 工作温度: -55°C ~+ 175°C
  • 封装/外壳: TO-252-3
  • 品牌: ON Semiconductor

NTD2955T4G产品描述

        1.工作电压范围:-20V到+20V,最大工作电流为12A,最大耗散功率为55W。

        2.封装形式:TO-252-4,即四面平面封装,适用于SMD/SMT(表面贴装/表面组装)技术。

        3.尺寸:6.73mm x 2.38mm x 0.34mm,重量为340mg。

NTD2955T4G产品应用

        1.电源管理模块:在电源管理模块中,NTD2955T4G MOSFET的高压和高流特性使其成为关键组件。例如,它可以用于开关电源转换器,这些转换器将交流电转换为适合特定设备使用的直流电。此外,它还可以用于电源调节器,这些调节器可以精确控制电源的输出电压和电流,以满足设备的特定需求。

        2.电动工具:在电动工具中,NTD2955T4G MOSFET可以用于驱动电机。例如,它可以用于电钻、电锯或其他电动工具的电机驱动电路。通过精确控制电机的速度和扭矩,可以提高工具的性能和效率。此外,它还可以提供过载保护,防止电机过热或损坏。

        3.汽车电子系统:在汽车电子系统中,NTD2955T4G MOSFET可以用于各种电子设备的电源管理和电流控制。例如,它可以用于汽车的照明系统,控制车灯的亮度和闪烁模式。它还可以用于汽车的音响系统,控制扬声器的音量和音质。此外,它还可以用于汽车的安全系统,如防盗系统和防撞系统,提供稳定的电源和精确的电流控制,以提高汽车的安全性和可靠性。

        

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