SK海力士首发第六代10纳米级DDR5 DRAM

16Gb DDR5 DRAM芯片：SK海力士突破技术极限

        韩国首尔，2024年8月29日 — SK海力士宣布全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb DDR5 DRAM芯片。这一成就展示了公司在超微细化存储工艺技术方面的领先地位。随着每一代10纳米级DRAM技术的发展，微细化工艺的难度不断增加，但SK海力士凭借其第五代（1b）技术的基础，提高了设计完成度，并率先突破了技术极限。

10纳米级DDR5 DRAM芯片：年内量产准备完成

        SK海力士表示，将在年内完成1c DDR5 DRAM芯片的量产准备工作，并从明年开始供应产品，以引领半导体存储器市场的发展。公司通过扩展1b DRAM平台来开发1c工艺，从而减少了工艺高度化过程中的尝试错误，并有效地将业界公认的高性能1b工艺优势转移到1c工艺中。

16Gb DDR5 DRAM芯片：优化成本与生产率

        此外，SK海力士在部分EUV工艺中开发并应用了新材料，并对整个EUV适用工艺进行了优化，确保了成本竞争力。在1c工艺上，公司还进行了设计技术革新，与前一代1b工艺相比，生产率提高了30%以上。

10纳米级DDR5 DRAM芯片：提升性能与能效

        此次推出的1c DDR5 DRAM芯片主要用于高性能数据中心，运行速度达到8Gbps，比前一代提升了11%。同时，能效也提高了9%以上。随着AI时代的到来，数据中心的耗电量持续增加，如果全球客户在其数据中心采用SK海力士的1c DDRAM芯片，预计电费最高可减少30%。

16Gb DDR5 DRAM芯片：巩固市场领导地位

        SK海力士DRAM开发担当副社长金锺焕表示：“1c工艺技术兼备最高性能和成本竞争力，公司将这一技术应用于新一代HBM、LPDDR6和GDDR7等最先进DRAM主力产品群，为客户提供差异化价值。未来，我们将继续坚守DRAM市场的领导地位，成为最受客户信赖的AI用存储器解决方案提供商。”

        作为一家专注于全球半导体市场的国际贸易公司，我们对SK海力士在16Gb DDR5 DRAM芯片上的创新感到兴奋。这款先进的10纳米级DDR5 DRAM芯片不仅展示了卓越的技术能力，还为我们的客户提供了更高效、更具成本效益的解决方案。我们期待与SK海力士紧密合作，向全球市场推广这一领先技术，帮助客户在不断发展的技术领域中保持竞争优势。