SK海力士宣布12L HBM3E正式量产

【HBM3E DRAM芯片：SK海力士的创新历程】

        SK海力士强调，自2013年全球首次推出第一代HBM（HBM1）以来，公司一直是唯一一家开发并向市场供应全系列HBM产品的企业。从第一代HBM到第五代HBM（HBM3E），SK海力士始终走在技术创新的前沿。

【12层HBM3E DRAM芯片：业界领先的技术突破】

        SK海力士再次引领行业，率先成功量产12层堆叠的HBM3E DRAM芯片。这一成就不仅满足了人工智能企业日益增长的需求，还进一步巩固了SK海力士在面向AI的存储器市场的领导者地位。这款12层HBM3E DRAM芯片在速度、容量和稳定性等所有方面都达到了全球最高水平。

【HBM3E DRAM芯片：卓越的性能与速度】

        SK海力士将这款新产品的运行速度提升至现有内存的最高速度9.6Gbps。在搭载四个HBM3E DRAM芯片的单个GPU上运行大型语言模型（LLM）“Llama 3 70B”时，每秒可读取35次700亿个整体参数。Llama 3是Meta于2024年4月推出的开源大型语言模型，提供8B（十亿）、70B、400B三种规模。

【12层HBM3E DRAM芯片：更高的容量与相同的厚度】

        SK海力士通过堆叠12颗3GB DRAM芯片，实现了与现有的8层产品相同的厚度，同时容量提升了50%。为了达到这一目标，公司将单个DRAM芯片制造得比以前薄40%，并采用硅通孔技术（TSV）垂直堆叠这些芯片。这种技术在DRAM芯片上打数千个微孔，使其垂直互连至电极，从而实现先进的封装。

【HBM3E DRAM芯片：先进工艺确保稳定性和可靠性】

        此外，SK海力士解决了在堆叠更多变薄芯片时产生的结构性问题。公司将其核心技术——先进的MR-MUF（批量回流底部模制填充）工艺应用到此次产品中。这项技术不仅提高了放热性能，较前一代提升了10%，还增强了控制翘曲问题，从而确保了稳定性和可靠性。特别是SK海力士的先进MR-MUF技术，减少了芯片堆叠时所施加的压力，提高了芯片的翘曲控制力，这是确保HBM稳定量产的关键。

【HBM3E DRAM芯片：迎接AI时代的挑战】

        SK海力士AI Infra担当金柱善社长表示：“我们再次突破了技术壁垒，证明了我们在面向AI的存储器市场中独一无二的主导地位。为了迎接AI时代的挑战，我们将稳步准备下一代存储器产品，以巩固‘全球顶级面向AI的存储器供应商’的地位。”

        作为一家专注于芯片国际贸易的公司，我们对SK海力士在12层HBM3E DRAM芯片领域的突破感到非常振奋。这一创新不仅展示了SK海力士在高性能存储器技术方面的领先地位，也为全球客户提供了更强大的解决方案，推动了整个行业的进步。我们将继续密切关注SK海力士及其合作伙伴在全球范围内的技术创新，并致力于为客户提供最新的高性能存储器解决方案。