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三星K3KL1L10GM-JGCT LPDDR5X 32GB存储芯片，7500Mbps高速传输，低功耗优化，赋能5G、自动驾驶与旗舰移动设备，打造未来计算新基准。
三星K3LKBKB0BM-MGCP LPDDR5 32GB芯片专为满足尖端智能手机和5G边缘设备的极致性能与节能要求而设计。凭借其6400Mbps的高速数据传输能力，采用先进的BGA封装技术，以及能在-25°C~85°C宽温范围内稳定工作的特性。
三星K4UBE3D4AM-THCL LPDDR4Xb内存芯片，4266Mbps高速传输，低功耗，32Gb大存储容量，广泛温控，BGA封装，适配高端手机、平板及可穿戴设备，引领移动存储新纪元。
三星LPDDR4 16GB K4AAG165WA-BCWE内存，采用10nm级工艺，速达3200Mbps，专为高端智能设备设计。大容量、低功耗、高速度，提升手机、平板性能，优化VR体验，专业摄影平板的理想选择。
DS5116ABTA-75是一款高性能的DRAM芯片，它采用了先进的DDR技术，支持最高的工作频率为75MHz，每个芯片的存储容量为512Mb，工作电压为2.5V，封装形式为TSOP54，适用于各种需要高速数据存储和处理的电子设备。
ZMD的U6264ADC是一款8K X 8 SRAM集成电路芯片，具有100ns的速度和DIP-28封装。它广泛应用于汽车电子、工业控制和通信设备。符合RoHS规定，无有害物质
M48Z56Y-70PC1是一款集成了时钟和存储器功能的IC。它是一款32K x 8的非易失性静态RAM，并且还具有实时时钟功能。
IDT7201LA50P是一款由Integrated Device Technology制造的CMOS异步FIFO，具有512 x 9的组织结构，低功耗和高速访问时间。它适用于数据通信，多处理和速率缓冲应用，以及军事级产品。
