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SK海力士推出了全球首款采用第六代10纳米级工艺的16Gb DDR5 DRAM芯片，提升了30%以上的生产率、11%的运行速度和9%以上的能效，为高性能数据中心提供更高效、更具成本效益的解决方案。
2024-10-10
SK海力士宣布12L HBM3E DRAM芯片正式量产，这款创新产品在速度、容量和稳定性方面达到全球最高水平，进一步巩固了SK海力士在AI存储器市场的领导地位。
2024-10-09
三星电子宣布量产12纳米级DDR5 DRAM，功耗降低23%，生产效率提高20%，传输速率达7.2Gbps，适合数据中心和AI应用。已通过与AMD兼容的16Gb DDR5 DRAM IC测试，预计2023年下半年开始量产。
2024-10-08
三星推出的HBM3E 12H 24GB DRAM芯片，通过垂直堆叠12层每层24Gb的DRAM，达到36GB总容量。该芯片提供9.8Gbps的数据传输速率和1,250GB/s的带宽，并优化了热管理和能效。
2024-10-07
三星推出业界首款基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0汽车级SSD AM9C1，提供高达4,400MB/s的读取速度和增强的可靠性，旨在满足自动驾驶车辆等高性能应用的需求。
2024-09-26
三星电子宣布量产第9代V-NAND QLC闪存，结合通道孔蚀刻和双堆叠结构等创新技术，提供更高存储密度、更快处理速度及更低能耗，以满足不断增长的AI应用需求。
2024-09-16
报道聚焦全球电子设备的创新前沿，深度剖析顶尖技术如何革新体育赛事观赛体验，如中国8K超高清技术在巴黎奥运会的首秀，以及无人机表演结合科技与艺术的视觉盛宴。智能追踪摄像头与高清摄像机捕捉赛事精华，展现科技魅力。
2024-07-29
恩智浦发布S32K39系列MCU，专为电动汽车控制优化，融合高性能、集成、网络、安全技术，采用TSN以太网，集成ASIL D解码，降低成本，提升能效，加速电气化应用，支持多电机控制，推动汽车电子创新。
2024-07-07
